PVT-RS-800
碳化硅單加熱器電阻式長晶爐
用于6/8/12英寸導電和高純半絕緣型SiC晶體生長，多加熱器設計允許靈活的工藝和熱場設置，上裝載結構可實現便捷的開裝爐及維護操作，同時設備擁有高精度控溫、控壓能力，工藝性能穩定優良。
結構緊湊省空間
用于6/8/12英寸導電和高純半絕緣型SiC晶體生長，多加熱器設計允許靈活的工藝和熱場設置，上裝載結構可實現便捷的開裝爐及維護操作，同時設備擁有高精度控溫、控壓能力，工藝性能穩定優良。
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產品特點
結構緊湊省空間
結構緊湊，可采用并排布局，提高廠房利用率。
熱區擴大助增厚
有效熱區大，利于晶體長厚。
分子泵適配大尺寸
配置分子泵，滿足6/8吋半絕緣/導電晶體生長需求。
精準旋轉保溫均
坩堝軸旋轉功能，精度±0.01rpm，便于營造徑向溫度均勻環境，滿足厚晶體生長。
智能算法控精度
設備控制系統采用多種先進算法，控制精度高。
技術參數
| 型號 | PVT-RS-800 |
| 尺寸：整機長 x 寬 x 高 | 3100X3200X3000mm |
| 裝料方式 | 上部裝料 |
| 可選配置 | 熱場及基礎工藝包 |
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